실리콘 트랜지스터의 미세화가 물리적 한계에 봉착한 가운데, 2D 반도체 소재인 TMD를 활용한 차세대 공정 기술이 주목받고 있습니다. 넥스트롬(Nexstrom)의 양산 장비 개발과 TSMC·imec의 300mm 웨이퍼 통합 성과를 통해 2D 반도체의 상용화 가능성을 분석합니다.
수십 년간 반도체 산업을 지탱해 온 실리콘(Silicon) 기반 트랜지스터의 미세화 전략이 임계점에 도달했습니다. 트랜지스터의 크기를 줄여 집적도를 높이는 방식은 전자의 흐름을 제어하기 어렵게 만들고, 이는 누설 전류와 전력 손실, 발열 문제라는 고질적인 난제를 야기합니다 [1]. 이러한 상황에서 원자 단위로 얇은 2D 반도체 소재, 특히 전이금속 디칼코게나이드(TMD, Transition-Metal Dichalcogenides)가 실리콘을 대체할 차세대 채널 소재로 급부상하고 있습니다 [1][2].
2D 소재는 실험실 환경에서는 뛰어난 성능을 입증해 왔으나, 이를 상용 반도체 공정에 필수적인 300mm(12인치) 웨이퍼 위에 균일하게 증착하고 대량 생산하는 것은 완전히 다른 차원의 문제입니다 [1]. 싱가포르의 스타트업 넥스트롬(Nexstrom)은 이 '실험실과 팹 사이의 간극'을 메우기 위해 1,200만 달러 규모의 시드 투자를 유치하며 300mm 웨이퍼용 TMD 증착 장비인 '노스 스타(North Star)' 개발에 나섰습니다 [1].
넥스트롬의 공동 창업자이자 최고 과학자인 랜스 리(Lance Li)는 과거 TSMC에서 포스트 실리콘 전자소자 연구를 이끌었던 인물로, 2D 소재의 대면적 균일 성장 기술을 핵심 경쟁력으로 내세우고 있습니다 [1]. 넥스트롬은 2인치에서 6인치, 그리고 8인치로 공정을 단계적으로 확장해 왔으며, 2030년에서 2035년 사이 상용 생산을 목표로 하고 있습니다 [1].
2D 반도체 상용화는 단일 기업의 노력만으로는 불가능합니다. 이미 TSMC, 인텔(Intel), 그리고 벨기에의 연구기관 imec은 2D 소재를 트랜지스터에 통합하는 방안을 활발히 연구 중입니다 [1]. 특히 2026년 6월, imec과 ASML, TSMC는 300mm 웨이퍼 상에서 TMD 기반의 nFET와 pFET를 통합하는 데 성공하며, 50nm 접촉 폴리 피치(CPP)를 구현하는 세계 최초의 성과를 발표했습니다 [2][3]. 이는 2D 소재가 단순히 실험실 수준을 넘어, 최첨단 노드에서 요구되는 공정 수준에 근접했음을 시사합니다 [2].
물론 해결해야 할 과제는 여전히 존재합니다. 넥스트롬과 같은 장비 기업이 직면한 가장 큰 난관은 웨이퍼 전체에 걸쳐 TMD 소재를 일관되게 성장시키는 공정 제어 능력입니다 [1]. 또한, 기존 실리콘 공정과의 호환성, 대량 생산 시의 수율 확보, 그리고 비용 효율적인 대면적 증착 기술은 상용화까지 넘어야 할 핵심 관문입니다 [1][2]. 넥스트롬이 거대 파운드리 기업들과 경쟁하기보다 기술 파트너십을 지향하는 전략을 취한 것 역시 이러한 산업적 난이도를 고려한 판단으로 해석됩니다 [1].
결국 2D 반도체의 미래는 얼마나 빠르게 '실험실의 기록'을 '팹의 수율'로 전환하느냐에 달려 있습니다. 넥스트롬의 장비 개발과 imec의 300mm 통합 공정 연구는 서로 다른 경로를 통해 같은 목표를 향하고 있으며, 이들의 협력과 경쟁은 무어의 법칙(Moore's Law)이 멈춘 자리를 채울 새로운 기술적 이정표가 될 것입니다 [2][4].
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